中泰国际：赛晶科技自研IGBT助力业绩增长 全年净利润目标同比增长超100%
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智通财经网
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2024-11-25 19:12
中泰国际发布研究报告称，随着电网项目的规划和启动，以及光伏、储能、电动汽车等市场对自研IGBT芯片和模块产品的需求提升，2024-2025年赛晶科技(00580)收入目标分别为16亿和20亿元，同比增长52%和25%。2024年目标净利润7,000-8,000万元，同比增长超过100%。2025年自研IGBT产品收入预计可提升至2亿元。
中泰国际主要观点如下：
输配电、新能源产业链核心器件供应商
2010年上市，赛晶科技(“公司”)是输配电行业、新能源行业以及工业领域中的阳极饱和电抗器、层叠母排、功率半导体等核心器件供应商，亦是国内自主研发阳极饱和电抗器主要供应商之一。2019年，公司开启IGBT和IGBT模块的研发和制造，并于2020年发布首款产品。公司随后完成了IGBT芯片、ST分装IGBT模块，SiC芯片及模块以及车规级BEVD的研发和制造。公司是国内IGBT企业中，第一批量产12寸晶圆的企业。
输配电业务稳步推进
自2009年起，公司迅速成为特高压柔性直流输电设备的主要供应商，参与了国内几乎所有直流工程。2023年输配电领域的收入占比39.5%，毛利率48.0%。“十四五”规划中提出了加强特高压输电工程等清洁能源输送通道的建设和利用效率，对设备提出了更高要求。于“十四五“期间，国网规划建设特高压工程涉及线路3万余公里，总投资3,800亿元(人民币，下同)。公司作为特高压直流输电核心器件供应商，有望深度受益。
自研IGBT，布局国产替代
公司专注于研发1200V–1700V电压等级的IGBT产品，利用国产自主技术，逐步实现国产替代。2023年，公司启动车规级模块HEEV和EVD碳化硅SiCMOSFET模块，EVD硅IGBT模块的研发;同年公司完成第二条模块测试生产线建设和调试。2024上半年，公司推出第三代功率半导体SiCMOSFET，该产品电阻低至1200V/13mΩ，达到国际主流企业同等水平。公司有望打破外资企业几乎垄断高端IGBT芯片的局面，成为芯片国产替代的受益者。
风险提示：1)自研业务发展不及预期;2)IGBT市场竞争;3)港股流动性风险。
来源：智通财经网
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