IPO研究 | 2025年全球半导体功率器件市场将增至357亿美元，年复合增速约8.4%
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乐居财经
邓如菲
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2023-05-31 14:56
乐居财经研究院 邓如菲 5月30日，深圳尚阳通科技股份有限公司（以下简称“尚阳通”）披露首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书（申报稿），对半导体功率器件行业进行分析。
根据Omdia和Yole预测数据，2022年全球功率半导体（含功率器件及电源管理芯片）市场规模约为543亿美元，占半导体市场的比例为9%；其中半导体功率器件281亿美元。
根据Omdia、Yole数据，2021-2025年全球半导体功率器件市场将由259亿美元增至357亿美元，年复合增速约为8.4%。其中，MOSFET（含模块）2021年市场规模约为104亿美元，总体趋于稳定，至2025年，占比预计达29%；IGBT（含模块）2025年市场规模将快速增至136亿美元，占比约为38%，2021-2025年年复合增长率约为12.8%；全球SiC功率器件2025年市场规模约43亿美元，2021年至2025年复合增长率约为42%。
根据芯谋研究数据，2021年中国国内MOSFET市场规模为46.6亿美元，预计到2025年将达到64.7亿美元，复合增长率为8.55%，增速高于全球市场。
超级结MOSFET为发行人销售收入占比最大的产品品类，报告期各期销售收入占比均超过70%。根据芯谋研究数据，2021年中国MOSFET市场国产化率达到30.5%，而超级结MOSFET这一细分领域由于技术壁垒较高，国产化率仅为18.1%，低于MOSFET国产率平均水平，超级结MOSFET仍为国内厂商未来发力的重要方向。
根据WSTS（世界半导体贸易统计组织）的数据，中国IGBT市场销售规模2021年为238.8亿元，预计至2025年仍将维持高速增长，市场规模将有望超486亿元，复合增长率为19.44%。
基于国家相关政策中提出核心元器件国产化的要求，国产替代成为国内IGBT行业内企业发展的主要驱动因素。根据Yole和中商产业研究院数据，预计2023年我国IGBT自给率将达到32.9%。
SiC半导体性能优异，具有更高耐压性和耐高温性，其禁带宽度是硅的3倍，击穿电压是硅的8-10倍，导热率是硅的3-5倍；具有更高工作频率，电子饱和漂移速率是硅的2-3倍；具有更低耗能和更小尺寸，击穿电压提升，有更高杂质浓度和更薄漂移层。目前而言，成本高、技术难度大是限制SiC功率器件需求的主要因素，根据Mouser和Digi-Key的公开报价，SiC MOSFET在2022的平均价格较2020年下降了11%，与Si器件价差也缩小至2.5-3倍之间。随着技术突破和成本的下降，SiC器件在各个领域的应用将会增加。巨大的市场需求、持续下行的成本和政策支持将为SiC发展带来新契机。
中国碳化硅基电力电子器件应用市场快速增长。根据亿渡数据，2021年中国碳化硅电力电子器件应用市场规模已达到71.1亿元。
功率半导体应用主要包括新能源充电桩、汽车电子、光伏储能、数据中心、服务器和通信电源、工控自动化等领域。根据TrendForce数据，2021年工业及汽车领域占比分别为35%及29%。近年来，新能源汽车、充电桩、智能装备制造、光伏新能源等新兴应用领域成为功率半导体产业的持续增长点，行业呈现良好的发展态势。
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